ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVN4525E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 0,23А, 1,1Вт, SOT26 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVN4525E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 0,23А, 1,1Вт, SOT26
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
ZVN4525E6TA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 0,23А, 1,1Вт, SOT26
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVN4525E6TA
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2122577
Технические параметры
Вес, г
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Brand
DiodesZetex
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.3mm
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Dimensions
3 x 1.75 x 1.3mm
Channel Type
N
Transistor Configuration
Single
Package Type
SOT-23
Width
1.75mm
Pin Count
6
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-23-6
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
230mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.4V, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
72pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±40V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 1mA
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
230 mA
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Maximum Drain Source Resistance
9.5 Ω
Typical Gate Charge @ Vgs
2.6 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Typical Turn-On Delay Time
1.25 ns
Typical Turn-Off Delay Time
11.4 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.65nC @ 10V
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1028 КБ