DMG3402L-7, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 10, корпус: SOT23, АБ

N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2121701

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

4 А

Package Type

SOT-23

Максимальное рассеяние мощности

1,4 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

85 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-12 В, +12 В

Прямое напряжение диода

1.16V

Base Product Number

DMG3402 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.7nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

464pF @ 15V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

1.4W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250ВµA

Длина

3мм

Типичное время задержки выключения

10,3 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

1,9 нс

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.6V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

11,7 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

464 пФ при 15 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.4W

Rds On - Drain-Source Resistance

52mО© @ 4A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.4V @ 250uA

Maximum Power Dissipation

1,4 Вт

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

85 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 В

Channel Type

Прямая активная межэлектродная проводимость

6.6с

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Forward Diode Voltage

1.16V

Техническая документация

Datasheet DMG3402L-7 , pdf , 447 КБ
Datasheet , pdf , 285 КБ

DMG3402L-7 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация