SBCP56-10T1G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 82 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - BJT SS GP XSTR NPN 80V

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

SBCP56-10T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2121083

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.2

Base Product Number

SBCP56 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

130MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.5W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223 (TO-261)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,5 В пост. тока

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

6.7мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

1,5 Вт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Pin Count

3 + Tab

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Minimum DC Current Gain

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.65мм

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.65мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

63 at 150 mA, 2 V

Конфигурация

Одиночный

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BCP56

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7мм

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

160 at 150 mA, 2 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

130 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1.5 Вт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 V dc

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V dc

Число контактов

3+Tab

Тип корпуса

SOT-223

Maximum Continuous Collector Current

1 A

Automotive Standard

AEC-Q101

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 70 КБ
Datasheet , pdf , 127 КБ
Datasheet , pdf , 76 КБ
Datasheet SBCP56-10T1G , pdf , 70 КБ

SBCP56-10T1G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 1А, 1,5Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 82 руб.

Техническая документация