STS11NF30L, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ F7, полевой, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STS11NF30L

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2120958

Технические параметры

Вес, г

0.15

Channel Type

Pin Count

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

NRND

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

5(Max)

Package Width

4(Max)

PCB changed

Package Height

1.65(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SO N

Standard Package Name

SOP

Military

Process Technology

STripFET II

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±18

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

10.5@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

22.5@5V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1440@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Техническая документация

Datasheet STS11NF30L , pdf , 321 КБ

STS11NF30L, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ F7, полевой, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация