ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFP22N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 22А, 500Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFP22N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 22А, 500Вт, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXFP22N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 22А, 500Вт, TO220-3
Последняя цена
760 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFP22N60P3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2120857
Технические параметры
Вес, г
3
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.66mm
Brand
IXYS
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16мм
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Channel Type
N
Transistor Configuration
Одинарный
Package Type
TO-220AB
Width
4.83mm
Pin Count
3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 11A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Power Dissipation
500 W
Series
HiperFET, Polar3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 183 КБ