2N6287G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 20А, 160Вт, TO3, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP THT

Минимум 100 В постоянного тока)
• Напряжение коллектор-база (Vcbo = 100 В)
• Напряжение эмиттер-база (Vcbo = 5 В)

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2N6287G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2120522

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

11.9

Base Product Number

2N6287 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

20A

Current - Collector Cutoff (Max)

1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

750 @ 10A, 3V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-65В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Tray

Package / Case

TO-204AA, TO-3

Power - Max

160W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-204 (TO-3)

Transistor Type

PNP - Darlington

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

3V @ 200mA, 20A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

100V

Maximum Operating Frequency

1 МГц

Maximum Collector Base Voltage

100 В пост. тока

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-204AA

Maximum Power Dissipation

160 Вт

Maximum DC Collector Current

20 (Continuous) A, 40 (Peak) A

Dimensions

39.37 x 26.67 x 8.51мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

PNP

Pd - рассеивание мощности

160 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

8.51 mm

Длина

39.37 mm

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

100, 750

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

20 A

Максимальный ток отсечки коллектора

500 uA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

20 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

100

Серия

2N6287

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Tray

Упаковка / блок

TO-204-2 (TO-3)

Ширина

26.67 mm

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 V dc

Число контактов

Техническая документация

Datasheet , pdf , 136 КБ
Datasheet , pdf , 187 КБ
Datasheet , pdf , 137 КБ

2N6287G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 20А, 160Вт, TO3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1110 руб.

Техническая документация