ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6040G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 8А, 75Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6040G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 8А, 75Вт, TO220A…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6040G, Транзистор PNP, биполярный, Дарлингтон, 60В, 8А, 75Вт, TO220AB
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP THT
Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6040G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2120322
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
2.02
Base Product Number
2N6040 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
Current - Collector Cutoff (Max)
20ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
75W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 16mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 В
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.75мм
Brand
ON Semiconductor
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
4.82мм
Dimensions
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Minimum DC Current Gain
100
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип транзистора
PNP
Pd - рассеивание мощности
75 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
15.75 mm
Длина
10.53 mm
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
1000
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
8 A
Максимальный ток отсечки коллектора
20 uA
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
8 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
50
Серия
2N6040
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
10.28мм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
20000
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
75 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4,5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Максимальный непрерывный ток коллектора
8 A
Максимальный запирающий ток коллектора
20µA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 147 КБ
Datasheet , pdf
, 289 КБ
Datasheet , pdf
, 287 КБ