STB100NF04T4, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2,9А, Idm 16А, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 450 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB100NF04T4

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2119605

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.5

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Ширина

9.35мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STripFET II

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

4.6мм

Размеры

10.4 x 9.35 x 4.6мм

Id - непрерывный ток утечки

120 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

40 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

150 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

120 А

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

5 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

40 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

5100 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.6 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

220 ns

Время спада

50 ns

Типичное время задержки выключения

80 нс

Типичное время задержки при включении

35 ns

Типичное время задержки включения

35 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

stp100nf04 , pdf , 930 КБ
Datasheet STB100NF04T4 , pdf , 965 КБ

STB100NF04T4, Транзистор N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 2,9А, Idm 16А - характеристики, поставщики

Последняя цена 450 руб.

Техническая документация