IXTT30N60L2, Транзистор N-MOSFET, Linear L2™, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO268, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 30 Amps 600V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTT30N60L2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2119446

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTT30N60

Тип

Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

540 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

10 S, 18 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-268-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-268

Количество каналов

1 Channel

Продукт

Linear L2 Power MOSFET

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

240 mOhms

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

10700pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

540W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250ВµA

Series

Linear L2в„ў ->

Qg - заряд затвора

335 nC

Время нарастания

65 ns

Время спада

43 ns

Типичное время задержки выключения

123 ns

Типичное время задержки при включении

43 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

335nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXTT30N60L2 , pdf , 144 КБ
Datasheet , pdf , 141 КБ

IXTT30N60L2, Транзистор N-MOSFET, Linear L2™, полевой, 600В, 30А, 540Вт, TO268 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2260 руб.

Техническая документация