ZXMN10A11GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,9А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN10A11GTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2119390

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.12

Length

6.7мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Тип корпуса

SOT-223

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

3.7мм

Число контактов

3+Tab

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-223

Width

3.7мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMN10A

Тип

MOSFET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

6.7мм

Высота

1.8мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Id - непрерывный ток утечки

2.4 A

Pd - рассеивание мощности

2 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2.4 A

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

274 пФ при 50 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

350 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.7A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

274pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 2.6A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

2,4 A

Maximum Drain Source Resistance

450 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

5.4 nC

Время нарастания

1.7 ns

Время спада

3.5 ns

Типичное время задержки выключения

7,4 нс

Типичное время задержки при включении

2.7 ns

Типичное время задержки включения

2.7 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

5,4 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.7A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet ZXMN10A11G , pdf , 571 КБ
Datasheet ZXMN10A11GTA , pdf , 571 КБ
Datasheet ZXMN10A11GTA , pdf , 529 КБ

ZXMN10A11GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 1,9А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация