IKP15N65F5, Транзистор IGBT, 650В, 18А, 52,5Вт, TO220-3, TRENCHSTOP™ 5, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKP15N65F5XKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2119289

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Base Product Number

IKP15N65 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-3

Transistor Configuration

Одинарный

Energy Rating

0.17mJ

Длина

10.36мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

30 A

Максимальное рассеяние мощности

105 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

15.95мм

Число контактов

Размеры

10.36 x 4.57 x 15.95мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

930пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

30A

Current - Collector Pulsed (Icm)

45A

Gate Charge

38nC

Power - Max

105W

Switching Energy

130ВµJ (on), 40ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

17ns/150ns

Test Condition

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Ширина

4.57мм

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

105 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.6 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

30 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

500

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Другие названия товара №

IKP15N65F5 SP000973410

Серия

TRENCHSTOP 5 F5

Технология

Series

TrenchStopВ® ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

IKP15N65F5XKSA1 , pdf , 2291 КБ
Datasheet IKP15N65F5XKSA1 , pdf , 2279 КБ

IKP15N65F5, Транзистор IGBT, 650В, 18А, 52,5Вт, TO220-3, TRENCHSTOP™ 5 - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.

Техническая документация