FDPF20N50FT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 12,9А, 38,5Вт, TO220F, UniFET™, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 500V N-Channel

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FDPF20N50FT

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2119067

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.2

Тип корпуса

TO-220F

Ширина

4.9мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

UniFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.36мм

Высота

16.07мм

Размеры

10.36 x 4.9 x 16.07мм

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

38.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное рассеяние мощности

38,5 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

260 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

2550 pF @ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

260 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Время нарастания

120 ns

Время спада

60 ns

Коммерческое обозначение

UniFET

Типичное время задержки выключения

100 нс

Типичное время задержки при включении

45 ns

Типичное время задержки включения

45 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

50 nC @ 10 V

Техническая документация

Datasheet FDPF20N50FT , pdf , 497 КБ
Datasheet , pdf , 495 КБ

FDPF20N50FT, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 12,9А, 38,5Вт, TO220F, UniFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация