ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFK170N25X3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFK170N25X3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFK170N25X3
Последняя цена
3080 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2118884
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
10
Series
HiPerFETв„ў ->
Минимальная рабочая температура
55 C
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
170A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Power Dissipation (Max)
960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 85A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264 (IXFK)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Id - непрерывный ток утечки
170 A
Pd - рассеивание мощности
960 W
Qg - заряд затвора
190 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
6.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
10 ns
Время спада
7 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
66 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
25
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
62 ns
Типичное время задержки при включении
18 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка / блок
TO-264-3
Упаковка
Tube
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 305 КБ
Datasheet IXFK170N25X3 , pdf
, 303 КБ
