ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBTA56WT1G, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 460мВт; SC70 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBTA56WT1G, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 460мВт; SC70
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBTA56WT1G, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 460мВт; SC70
Последняя цена
11 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - BJT 500mA 80V PNP
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBTA56WT1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2118838
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
1
Base Product Number
MMBTA56 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
50MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
150mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-70-3 (SOT323)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Maximum DC Collector Current
500mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
150mW
Pd - рассеивание мощности
150 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.85 mm
Длина
2.1 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4 V
Непрерывный коллекторный ток
0.5 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MMBTA56W
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-70-3
Ширина
1.24 mm
Квалификация
AEC-Q101
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
50 MHz
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 141 КБ
Datasheet MMBTA56WT1G , pdf
, 70 КБ
Datasheet , pdf
, 105 КБ