MUN2212T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 230/338Вт, SC59, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 9 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MUN2212T1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2116206

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.05

Base Product Number

MUN2212 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

338mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-59

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Pin Count

Minimum DC Current Gain

60@5mA@10V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

338mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.9 x 1.5 x 1.09мм

Pd - рассеивание мощности

338 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.09мм

Длина

2.9мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN2212

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-59

Ширина

1.5мм

Квалификация

AEC-Q101

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.21.00.95

Type

NPN

Configuration

Single

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.25@0.3mA@10mA

Maximum Power Dissipation (mW)

338

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

Supplier Package

SC-59

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

1.09

Package Length

2.9

Package Width

1.5

PCB changed

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-346 (SC-59)

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

22 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

22 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Supplier Temperature Grade

Automotive

Typical Resistor Ratio

Типичный коэффициент резистора

Resistor - Base (R1)

22 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

22 kOhms

Maximum Continuous DC Collector Current (mA)

100

Typical Input Resistor (kOhm)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 135 КБ
Datasheet , pdf , 392 КБ
Datasheet , pdf , 132 КБ

MUN2212T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 230/338Вт, SC59 - характеристики, поставщики

Последняя цена 9 руб.

Техническая документация