STW62N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 26А, 330Вт, TO247, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1970 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STW62N65M5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2115825

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

4.53

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

STW62N65M5

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

46 A

Pd - рассеивание мощности

330 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

710 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STW62 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

41 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

46A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6420pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

330W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 23A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

Automotive, AEC-Q101, MDmeshв„ў V ->

Qg - заряд затвора

142 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

14 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

8 ns

Типичное время задержки при включении

101 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

142nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

46A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

330W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 895 КБ
Datasheet STW62N65M5 , pdf , 875 КБ

STW62N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 26А, 330Вт, TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1970 руб.

Техническая документация