IXTP3N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 3А, 125Вт, TO220-3, 17нс, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 530 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 1000V 3A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTP3N100D2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2115231

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXTP3N100

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

3 A

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

6 Ohms

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Tc)

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 1.5A, 0V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37.5nC @ 5V

California Prop 65

Warning Information

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 157 КБ
Datasheet IXTP3N100D2 , pdf , 153 КБ

IXTP3N100D2, Транзистор N-MOSFET, 1кВ, 3А, 125Вт, TO220-3, 17нс - характеристики, поставщики

Последняя цена 530 руб.

Техническая документация