ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TK72E08N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 72А, 192Вт, TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Toshiba
TK72E08N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 72А, 192Вт, TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
TK72E08N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 72А, 192Вт, TO220AB
Последняя цена
300 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
MOSFET N-Channel, TK6, amp; Серия TK7, Toshiba
Информация
Производитель
Toshiba
Артикул
TK72E08N1,S1X(S
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2115019
Технические параметры
Вес, г
1.98
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.16мм
Brand
Toshiba
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Channel Type
N
Package Type
TO-220
Width
4.45мм
Pin Count
3
Серия
U-MOSVIII-H
Высота
15.1мм
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
157 A
Maximum Power Dissipation
192 W
Maximum Drain Source Resistance
4.3 mΩ
Typical Gate Charge @ Vgs
81 nC @ 10 V
Transistor Material
Кремний
Channel Mode
Поднятие
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Forward Diode Voltage
1.2V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V