BD137, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1,5А, 12Вт, TO126, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

Биполярные транзисторы - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BD137G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2114216

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

60В

Стиль Корпуса Транзистора

TO-225AA

Рассеиваемая Мощность

65Вт

Полярность Транзистора

NPN

DC Ток Коллектора

1.5А

DC Усиление Тока hFE

40hFE

Transistor Mounting

Through Hole

Вес, г

0.65

Base Product Number

BD137 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

1.5A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-225AA, TO-126-3

Power - Max

1.25W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-225AA

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Minimum DC Current Gain

25@0.005A@2V|40@0.15A@2V|25@0.5A@2V

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

11.04 x 7.74 x 2.66мм

Pd - рассеивание мощности

1.25 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

11.04мм

Длина

7.74мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1.5 A

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

60 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

1.5 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

500

Серия

BD137

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

TO-225-3

Ширина

2.66мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,25 W

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

NPN

Product Category

Bipolar Power

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Maximum Base Current (A)

0.5

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.5@0.05A@0.5A

Maximum DC Collector Current (A)

1.5

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

1250

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Box

Automotive

Supplier Package

TO-225

Military

Mounting

Through Hole

Package Height

11.1(Max)

Package Length

7.8(Max)

Package Width

3(Max)

PCB changed

Tab

Lead Shape

Through Hole

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

1.5 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-225

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 81 КБ
Datasheet , pdf , 136 КБ
Datasheet , pdf , 78 КБ
Datasheet BD137G , pdf , 129 КБ

BD137, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 1,5А, 12Вт, TO126 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация