BSS126H6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 600В, 21мА, 500мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 46 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS126H6327XTSA2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2114071

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.8

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

1.3 mm

Height

1мм

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Package Type

SOT-23

Width

1.3мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SIPMOS

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

2.9 mm

Высота

1.1 mm

Id - непрерывный ток утечки

21 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW (1/2 W)

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

8 mS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PG-SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS126 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

21 мА

Максимальное рассеяние мощности

500 мВт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Максимальное сопротивление сток-исток

700 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

700 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.7 V

Канальный режим

Depletion

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

21mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 8ВµA

Series

SIPMOSВ® ->

Typical Gate Charge @ Vgs

1,4 нКл при 5 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Опускание

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

1.4 nC

Время нарастания

9.7 ns

Время спада

115 ns

Типичное время задержки выключения

14 ns

Типичное время задержки при включении

6.1 ns

Другие названия товара №

BSS126 BSS126H6327XT H6327 SP000919334

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 5V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

FET Feature

Depletion Mode

Техническая документация

Datasheet , pdf , 308 КБ
Datasheet , pdf , 309 КБ

BSS126H6327XTSA2, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 600В, 21мА, 500мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 46 руб.

Техническая документация