BSP320SH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 2,9А, 1,8Вт, SOT223, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 77 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSP320SH6327XTSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113878

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.18

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

3.5 mm

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Число контактов

3+Tab

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

3.5мм

Pin Count

3 + Tab

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BSP320

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6.5мм

Высота

1.6мм

Id - непрерывный ток утечки

2.9 A

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.5 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-4

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSP320 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Максимальное рассеяние мощности

1.8 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

120 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

120 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.9A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.9A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 20ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

1,8 Вт

Series

SIPMOS

Maximum Drain Source Resistance

120 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

9,7 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

12 nC

Время нарастания

25 ns

Время спада

35 ns

Типичное время задержки выключения

25 ns

Типичное время задержки при включении

11 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

9.7 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

2.1V

Другие названия товара №

BSP320S H6327 SP001058768

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.9A(Tj)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 20uA

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet BSP320SH6327XTSA1 , pdf , 486 КБ
Datasheet BSP320SH6327XTSA1 , pdf , 486 КБ
Datasheet BSP320SH6327XTSA1 , pdf , 456 КБ

BSP320SH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 2,9А, 1,8Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 77 руб.

Техническая документация