BC848C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 350мВт, SOT23, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

BC848C-7-F

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2113632

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.02

Base Product Number

BC848 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

300MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-65В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,6 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

300 МГц

Number of Elements per Chip

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Maximum Collector Emitter Voltage

30 В

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 мВт

Maximum DC Collector Current

100 мА

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

30 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

3 x 1.4 x 1.1мм

Pd - рассеивание мощности

350 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.1мм

Длина

3мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

420

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

30 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

30 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC848C

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4мм

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

800 at 2 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

300 MHz

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,6 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

200 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 V

Максимальная рабочая частота

300 MHz

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-0,9 В

Производитель

DiodesZetex

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

420

Техническая документация

Datasheet , pdf , 297 КБ
Datasheet , pdf , 1163 КБ
BC846...BC848 , pdf , 300 КБ

BC848C-7-F, Транзистор NPN, биполярный, 30В, 100мА, 350мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация