ZVN4310A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,9А, 0,85Вт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

ZVN4310A - это 100-вольтовый N-канальный полевой транзистор E-Line с N-канальным режимом расширения, вертикальный DMOS-полевой транзистор с сопротивлением 0,5R и рассеиваемой мощностью 850 мВт.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVN4310A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2113161

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

4.77 mm

Brand

Diodes Incorporated

Тип корпуса

E-Line

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Ширина

2.41мм

Height

4.01 mm

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

2.41 mm

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.10.00.80

Lead Shape

Through Hole

Package Length

4.57

Package Width

2.28

PCB changed

Package Height

3.9

Mounting

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

850

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Bulk

Supplier Package

E-Line

Standard Package Name

TO-92

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZVN4310

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

4.77мм

Высота

4.01мм

Размеры

4.77 x 2.41 x 4.01мм

Id - непрерывный ток утечки

900 mA

Pd - рассеивание мощности

850 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

600 mS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Type

FET

Process Technology

DMOS

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Упаковка

Bulk

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

900 мА

Максимальное рассеяние мощности

850 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

500 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

350 pF@ 25 V

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

500 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

900mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

850mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500mOhm @ 3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Number of Elements per Chip

Series

ZVN4310

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

8 ns

Typical Turn-Off Delay Time

30 ns

Время нарастания

25 ns

Время спада

16 ns

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки при включении

8 ns

Типичное время задержки включения

8 нс

Категория

Малый сигнал

Rds On - Drain-Source Resistance

500 mOhms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Vgs - Gate-Source Voltage

10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

Product Category

Small Signal

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.9

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

500@10V

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

350(Max)@25V

Typical Fall Time (ns)

16(Max)

Typical Rise Time (ns)

25(Max)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

30(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8(Max)

Pd - Power Dissipation

850 mW

Factory Pack Quantity

4000

Fall Time

16 ns

Id - Continuous Drain Current

900 mA

Manufacturer

Diodes Incorporated

Mounting Style

Through Hole

Number Of Channels

1 Channel

Product Type

MOSFET

Rise Time

25 ns

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

1 N-Channel

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Forward Transconductance - Min

600 mS

Product

MOSFET Small Signal

Техническая документация

Datasheet , pdf , 58 КБ
Datasheet ZVN4310A , pdf , 76 КБ
Datasheet ZVN4310A , pdf , 83 КБ

ZVN4310A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,9А, 0,85Вт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация