ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP12NK30Z, Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 5,6А, 90Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP12NK30Z, Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 5,6А, 90Вт, TO220-3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STP12NK30Z, Транзистор N-МОП, полевой, 300В, 5,6А, 90Вт, TO220-3
Последняя цена
220 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-Ch 300 Volt 9 Amp Zener SuperMESH3
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP12NK30Z
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2112560
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
1.95
Mounting Type
Through Hole
Ширина
4.6 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
STP12NK30Z
Тип
MOSFET
Торговая марка
STMicroelectronics
Длина
10.4 mm
Высота
9.15 mm
Id - непрерывный ток утечки
9 A
Pd - рассеивание мощности
90 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
300 V
Вид монтажа
Through Hole
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
5.4 S
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
STP12 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
300V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
400 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50ВµA
Series
SuperMESHв„ў ->
Qg - заряд затвора
35 nC
Время нарастания
20 ns
Время спада
10 ns
Коммерческое обозначение
SuperMESH
Типичное время задержки выключения
36 ns
Типичное время задержки при включении
16 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 287 КБ
Datasheet STP12NK30Z , pdf
, 286 КБ