2SD1047, Транзистор: NPN, биполярный, 140В, 12А, 100Вт, TO3P, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

Биполярные транзисторы - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

2SD1047

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2112169

Технические параметры

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

5.17

Base Product Number

2SD1047 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

12A

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 1A, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

20MHz

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Power - Max

100W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3P

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 700mA, 7A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

140V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0,7 В

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

20 MHz

Number of Elements per Chip

Length

15.8мм

Maximum Collector Base Voltage

200 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Maximum Collector Emitter Voltage

140 В

Package Type

Maximum Power Dissipation

100 Вт

Width

5мм

Maximum DC Collector Current

12 A, 20 (Peak) A

Pin Count

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

Максимальное напряжение коллектор-база

200 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Pd - рассеивание мощности

100 W

Вид монтажа

Through Hole

Высота

20.1мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

140 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

12 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

300

Серия

2SD1047

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-3P-3

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

20 MHz

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Техническая документация

Datasheet , pdf , 186 КБ

2SD1047, Транзистор: NPN, биполярный, 140В, 12А, 100Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация