BSS138BK.215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 41 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSS138BK.215

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2111272

Технические параметры

Вес, г

0.02

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Тип корпуса

SOT-23

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

1.4мм

Height

1мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-23

Width

1.4мм

Pin Count

Высота

1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

BSS138 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

360 мА

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Максимальное сопротивление сток-исток

1,6 Ω

Материал транзистора

Кремний

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

360mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 10V

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta), 1.14W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 350mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

360 mA

Maximum Power Dissipation

420 mW

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Типичный заряд затвора при Vgs

0,6 нКл при 4,5 В

Минимальное пороговое напряжение включения

0.48V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

360mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

350mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.6V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

1.6V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Техническая документация

Datasheet BSS138BK,215 , pdf , 1582 КБ
Datasheet BSS138BK,215 , pdf , 855 КБ

BSS138BK.215, Транзистор N-МОП, полевой, logic level, 60В, 360мА, 350мВт - характеристики, поставщики

Последняя цена 41 руб.

Техническая документация