ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BFU520XAR, Транзистор NPN, биполярный, RF, 12В, 0,03А, 450мВт, SOT143B - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BFU520XAR, Транзистор NPN, биполярный, RF, 12В, 0,03А, 450мВт, SOT143B
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BFU520XAR, Транзистор NPN, биполярный, RF, 12В, 0,03А, 450мВт, SOT143B
Последняя цена
63 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
РЧ биполярные транзисторы NPN wideband silicon RF transistor
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BFU520XAR
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2111216
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.01
Тип транзистора
Bipolar Wideband
Pd - рассеивание мощности
450 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
50 mA
Минимальная рабочая температура
40 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
24 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
16 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2 V
Непрерывный коллекторный ток
5 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
RF Bipolar Transistors
Торговая марка
NXP Semiconductors
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
SOT143B-4
Другие названия товара №
934067706215
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
10.5 GHz
Технология
Si
Рабочая частота
900 MHz
Тип
Wideband RF Transistor
Диапазон рабочих температур
40 C to + 150 C
Техническая документация
Datasheet BFU520XAR , pdf
, 301 КБ
Datasheet BFU520XAR , pdf
, 313 КБ