ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
D44H8-ST, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 10А, 50Вт, TO220 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
D44H8-ST, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 10А, 50Вт, TO220
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
D44H8-ST, Транзистор NPN, биполярный, 60В, 10А, 50Вт, TO220
Последняя цена
200 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT
Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
D44H8
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2110774
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2
Base Product Number
D44H8 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
10A
Current - Collector Cutoff (Max)
10ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
50W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
60 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Package Type
TO-220
Maximum DC Collector Current
20 А
Height
9.15мм
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
60 2A 1V|40 4A 1V
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
9.15 x 10.4 x 4.6мм
Pd - рассеивание мощности
50 W
Вид монтажа
Through Hole
Высота
9.15мм
Длина
10.4мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
60
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
10 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
D44H8
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.6мм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
60
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
50 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 V
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Type
NPN
Product Category
Bipolar Power
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
60
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
60
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Operating Junction Temperature (°C)
150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
1.5 0.8A 8A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
1 0.4A 8A
Maximum DC Collector Current (A)
10
Maximum Power Dissipation (mW)
50000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Mounting
Through Hole
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
20 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40W
PPAP
No
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 181 КБ
Datasheet , pdf
, 169 КБ
Datasheet , pdf
, 168 КБ