IPW60R190E6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO247, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW60R190E6FKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2110617

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

6.11

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.13мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

5.21mm

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-247

Width

5.21mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS E6

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

16.13 mm

Высота

21.1мм

Id - непрерывный ток утечки

20.2 A

Pd - рассеивание мощности

151 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPW60R190 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

440 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

170 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20.2A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

151W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 630ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Power Dissipation

151 W

Series

CoolMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

440 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

63 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

0.9V

Qg - заряд затвора

63 nC

Время нарастания

10 ns

Время спада

8 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

90 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Другие названия товара №

IPW60R190E6 IPW6R19E6XK SP000797384

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 954 КБ
Datasheet , pdf , 866 КБ

IPW60R190E6FKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 20,2А, 151Вт, PG-TO247 - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация