STF10N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 6А, 30Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 710 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF10N80K5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2110325

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.69

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF10N80K5

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

9 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF10 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

470 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 4.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100ВµA

Series

MDmeshв„ў ->

Qg - заряд затвора

22 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

14 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

35 ns

Типичное время задержки при включении

14.5 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

9A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

30W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 100uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 838 КБ
Datasheet STF10N80K5 , pdf , 673 КБ

STF10N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 6А, 30Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 710 руб.

Техническая документация