STD2N80K5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,3А, 45Вт, DPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD2N80K5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2108828

Технические параметры

Вес, г

0.41

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Ширина

6.2мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

+30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

MDmesh K5, SuperMESH5

Длина

6.6мм

Высота

2.4мм

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

STMicroelectronics

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2 A

Максимальное рассеяние мощности

45 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

105 пФ при 100 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

19 ns

Типичное время задержки включения

8 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

9,5 нКл при 10 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

45W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

4.5О© @ 1A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 100uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1567 КБ

STD2N80K5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,3А, 45Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация