IXFK78N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 78А, 1130Вт, TO264, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2560 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 500 В 78A (Tc) 1130 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-264AA (IXFK)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFK78N50P3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2108788

Технические параметры

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-264-3, TO-264AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-264AA (IXFK)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

78A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

9900pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1130W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Series

HiPerFETв„ў, Polar3в„ў ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

147nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

78A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1130W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 4mA

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFK78N50P3 , pdf , 253 КБ
Datasheet , pdf , 134 КБ

IXFK78N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 78А, 1130Вт, TO264 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2560 руб.

Техническая документация