ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA65R600E6XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA65R600E6XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA65R600E6XKSA1
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 650 В, 7,3 A (Tc) 28 Вт (Tc), сквозное отверстие PG-TO220-FP
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2108701
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
7,3 A
Максимальное рассеяние мощности
28 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.85мм
Высота
16.15мм
Количество элементов на ИС
1
Brand
Infineon
Series
CoolMOSв„ў ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
1.4 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
700 В
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
23 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
IPA65R600 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210ВµA
Длина
10.65мм
Серия
CoolMOS E6
Типичное время задержки выключения
64 нс
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.65 x 4.85 x 16.15мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
10 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
23 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
440 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
7,3 A
Maximum Power Dissipation
28 Вт
Width
4.85мм
Maximum Drain Source Resistance
1,4 Ω
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
