BFR193WH6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 80мА, 580мВт, SOT323, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 59 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные РЧ транзисторы, Infineon

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BFR193WH6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2108202

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 c

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

12в

Рассеиваемая Мощность

580мвт

Полярность Транзистора

npn

DC Ток Коллектора

80ма

DC Усиление Тока hFE

70hfe

Частота Перехода ft

8ггц

Вес, г

0.04

Base Product Number

BFR193 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

80mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

8GHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

580mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT323-3

Transistor Type

NPN

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

12V

Стандарты Автомобильной Промышленности

aec-q101

Корпус РЧ Транзистора

sot-323

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Infineon

Maximum Collector Emitter Voltage

12 В

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

580 мВт

Maximum DC Collector Current

80 мА

Dimensions

2 x 1.25 x 0.8мм

Maximum Emitter Base Voltage

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Категория продукта

РЧ биполярные транзисторы

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

RF Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Упаковка / блок

SOT-323-3

Другие названия товара №

BFR 193W H6327 SP000734404

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальная рабочая частота

8 ГГц

Число контактов

Gain

10.5dB ~ 16dB

Noise Figure (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Техническая документация

Datasheet BFR193WH6327XTSA1 , pdf , 656 КБ
Datasheet BFR193WH6327XTSA1 , pdf , 650 КБ

BFR193WH6327, Транзистор NPN, биполярный, 20В, 80мА, 580мВт, SOT323 - характеристики, поставщики

Последняя цена 59 руб.

Техническая документация