ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB11NK40ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB11NK40ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STB11NK40ZT4, Транзистор N-МОП, полевой, 400В, 5,67А, 110Вт, D2PAK
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD
МОП-транзистор N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STB11NK40ZT4
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2108086
Технические параметры
Вес, г
1.63
Channel Type
N
Pin Count
3
Configuration
Single
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Lead Shape
Gull-wing
Package Length
10.4(Max)
Package Width
9.35(Max)
PCB changed
2
Package Height
4.6(Max)
Mounting
Surface Mount
Maximum Drain Source Voltage (V)
400
Maximum Power Dissipation (mW)
110000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Supplier Package
D2PAK
Standard Package Name
TO-263
Military
No
Process Technology
SuperMESH
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Product Category
Power MOSFET
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Continuous Drain Current (A)
9
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
550@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
32@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
32
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
930@25V
Typical Fall Time (ns)
18
Typical Rise Time (ns)
20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
40
Typical Turn-On Delay Time (ns)
20
Tab
Tab
Id - непрерывный ток утечки:
9 A
Pd - рассеивание мощности:
110 W
Qg - заряд затвора:
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
550 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток:
400 V
Vgs - напряжение затвор-исток:
- 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
3 V
Вид монтажа:
SMD/SMT
Время нарастания:
20 ns
Время спада:
18 ns
Канальный режим:
Enhancement
Категория продукта:
МОП-транзистор
Количество каналов:
1 Channel
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 150 C
Минимальная рабочая температура:
- 55 C
Подкатегория:
MOSFETs
Полярность транзистора:
N-Channel
Производитель:
STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:
1000
Серия:
STB11NK40ZT4
Технология:
Si
Тип продукта:
MOSFET
Тип транзистора:
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения:
40 ns
Типичное время задержки при включении:
20 ns
Торговая марка:
STMicroelectronics
Упаковка / блок:
TO-263-3
Высота:
4.6 mm
Длина:
10.4 mm
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:
5.8 S
Тип:
MOSFET
Ширина:
9.35 mm
Техническая документация
Datasheet STB11NK40ZT4 , pdf
, 501 КБ
Datasheet , pdf
, 773 КБ
Datasheet STB11NK40ZT4 , pdf
, 729 КБ