IXFH20N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 810 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал, 500 В, 20 А (Tc), 380 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-247AD (IXFH)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH20N50P3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2107972

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

16.26mm

Brand

IXYS

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.46mm

Maximum Drain Source Voltage

500 В

Конфигурация

Single

Channel Type

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-247

Width

5.3мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH20N50

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

300 mOhms

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

380W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 10A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

20 А

Maximum Power Dissipation

380 W

Series

HiPerFETв„ў, Polar3в„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

36 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Коммерческое обозначение

HyperFET

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 153 КБ
Datasheet IXFH20N50P3 , pdf , 356 КБ
Datasheet IXFH20N50P3 , pdf , 158 КБ

IXFH20N50P3, Транзистор N-MOSFET, 500В, 20А, 380Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 810 руб.

Техническая документация