IXFH18N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 18А, 360Вт, TO247-3, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор 600V 18A

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFH18N60P

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2107690

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Ширина

5.3 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFH18N60

Торговая марка

IXYS

Длина

16.26 mm

Высота

21.46 mm

Id - непрерывный ток утечки

18 A

Pd - рассеивание мощности

360 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

16 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AD (IXFH)

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

400 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

360W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Series

HiPerFETв„ў, PolarHTв„ў ->

Время нарастания

22 ns

Время спада

22 ns

Коммерческое обозначение

HyperFET

Типичное время задержки выключения

62 ns

Типичное время задержки при включении

21 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet IXFH18N60P , pdf , 214 КБ

IXFH18N60P, Транзистор N-MOSFET, 600В, 18А, 360Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 850 руб.

Техническая документация