STF7NM60N, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 3А, 20Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel MDmesh ™, 600 В / 650 В, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF7NM60N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2107479

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6мм

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Package Type

TO-220FP

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF7NM60N

Тип

Power MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

16.4мм

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

20 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF7 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-5 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

5 А

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

900 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

363pF @ 50V

Power Dissipation (Max)

20W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Power Dissipation

20 Вт

Series

MDmesh

Maximum Drain Source Resistance

900 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

14 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

12 nC

Коммерческое обозначение

MDmesh

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

5A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

20W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

...7NM60N , pdf , 881 КБ
Datasheet , pdf , 881 КБ
Datasheet , pdf , 597 КБ
Datasheet , pdf , 583 КБ

STF7NM60N, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 3А, 20Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация