BSS64LT1G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 100мА, 225/300мВт, SOT23, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Биполярные транзисторы - BJT 100mA 120V NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BSS64LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2107202

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.02

Base Product Number

BSS64 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

60MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 15mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

80V

Pd - рассеивание мощности

225 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

120 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

80 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS64L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

60 MHz

Технология

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.2 V

Техническая документация

Datasheet BSS64LT1G , pdf , 67 КБ
Datasheet BSS64LT1G , pdf , 70 КБ
Datasheet BSS64LT1G , pdf , 121 КБ

BSS64LT1G, Транзистор NPN, биполярный, 80В, 100мА, 225/300мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация