ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVP4424A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -240В, -0,2А, 750мВт, TO92 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVP4424A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -240В, -0,2А, 750мВт, TO92
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
ZVP4424A, Транзистор P-MOSFET, полевой, -240В, -0,2А, 750мВт, TO92
Последняя цена
190 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT
МОП-транзистор с каналом P, от 100 до 450 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVP4424A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2106362
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.17
Максимальный непрерывный ток стока
200 mA
Максимальное рассеяние мощности
750 мВт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
2.41мм
Высота
4.01мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
9 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
240 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
A, P
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
200mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
240V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.5V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9Ohm @ 200mA, 10V
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-92-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±40V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Длина
4.77мм
Типичное время задержки выключения
26 нс
Тип корпуса
E-Line
Размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8 нс
Производитель
DiodesZetex
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Малый сигнал
Типичная входная емкость при Vds
100 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±40 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 114 КБ