ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFJ80N25X3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFJ80N25X3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFJ80N25X3
Последняя цена
1930 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class МОП-транзистор
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2104672
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
6
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
44 A
Pd - рассеивание мощности
104 W
Qg - заряд затвора
83 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
17 ns
Время спада
17 ns
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
38 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
30
Серия
X3-Class
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
65 ns
Типичное время задержки при включении
30 ns
Торговая марка
IXYS
Упаковка / блок
TO-247-3
Упаковка
Tube
