ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PMBTA56.215, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 250мВт; SOT23 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PMBTA56.215, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 250мВт; SOT23
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PMBTA56.215, Транзистор: PNP; биполярный; 80В; 0,5А; 250мВт; SOT23
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - BJT PNP GP 500MA 80V
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PMBTA56.215
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2103643
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
1
Base Product Number
PMBTA56 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
50MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
500mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Pd - Power Dissipation
250mW
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
PMBTA56 T/R
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
50 MHz
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
PMBTA56 , pdf
, 176 КБ
Datasheet , pdf
, 175 КБ
Datasheet PMBTA56,215 , pdf
, 271 КБ
Datasheet , pdf
, 97 КБ