IXFQ28N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 28А, 695Вт, TO3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 910 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFQ28N60P3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2102976

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.8мм

Brand

IXYS

Тип корпуса

TO-3P

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.9мм

Height

20.3mm

Maximum Drain Source Voltage

600 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-3P

Width

4.9мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFQ28N60

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

28 A

Pd - рассеивание мощности

695 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

30 S, 18 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

695 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

260 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

260 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

5 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Maximum Power Dissipation

695 W

Series

HiperFET, Polar3

Maximum Drain Source Resistance

260 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

50 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Qg - заряд затвора

50 nC

Время нарастания

18 ns

Время спада

19 ns

Коммерческое обозначение

HyperFET

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 132 КБ

IXFQ28N60P3, Транзистор N-MOSFET, 600В, 28А, 695Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 910 руб.

Техническая документация