IPA90R800C3XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 4,4А, 33Вт, PG-TO220 FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA90R800C3XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2102477

Технические параметры

Вес, г

2.16

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220FP

Ширина

4.85мм

Height

16.15mm

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

CoolMOS C3

Длина

10.65мм

Высота

16.15мм

Размеры

10.65 x 4.85 x 16.15мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

Infineon

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

6,9 A

Максимальное рассеяние мощности

33 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

1.7 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

900 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1100 пФ при 100 В

Тип канала

Maximum Power Dissipation

33 Вт

Typical Gate Charge @ Vgs

42 нКл при 10 В

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Типичное время задержки выключения

400 ns

Типичное время задержки включения

70 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

42 нКл при 10 В

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

3.5V

Прямое напряжение диода

1.2V

IPA90R800C3XKSA1, Транзистор N-МОП, полевой, 900В, 4,4А, 33Вт, PG-TO220 FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.