BSS138AKAR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 37 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

BSS138AKAR

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2102396

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.02

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-23

Width

1.4мм

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS138AKA

Торговая марка

Nexperia

Id - непрерывный ток утечки

200 mA

Pd - рассеивание мощности

1.06 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

320 mS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-236AB-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS138 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Максимальный непрерывный ток стока

200 мА

Максимальное рассеяние мощности

1.06 W

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

47pF @ 30V

Power Dissipation (Max)

300mW (Ta), 1.06W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250mA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

200 мА

Maximum Power Dissipation

1,06 Вт

Series

BSS138AKA

Maximum Drain Source Resistance

4,5 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0.39 nC @ 4.5 V

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Forward Diode Voltage

1.2V

Qg - заряд затвора

0.39 nC

Время нарастания

6 ns

Время спада

22 ns

Типичное время задержки выключения

36 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.51nC @ 4.5V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Automotive Standard

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSS138AKAR , pdf , 713 КБ
Datasheet BSS138AKAR , pdf , 250 КБ

BSS138AKAR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 37 руб.

Техническая документация