SI2374DS-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 4,7А, 1,1Вт, SOT23, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 66 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 20V Vds 8V Vgs SOT-23

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SI2374DS-T1-GE3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2101675

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.01

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3.04мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

1.4mm

Height

1.02мм

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

±8 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Package Type

SOT-363

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

3.04mm

Высота

1.02мм

Id - непрерывный ток утечки

5.9 A

Pd - рассеивание мощности

1.7 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

29 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-23-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1.7 W

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Максимальное сопротивление сток-исток

41 mΩ

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

4.5 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

400 mV

Канальный режим

Enhancement

Maximum Continuous Drain Current

5.9 A

Maximum Power Dissipation

1,7 Вт

Typical Gate Charge @ Vgs

13.4 nC

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

±8 V

Qg - заряд затвора

20 nC

Время нарастания

23 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet SI2374DS-T1-GE3 , pdf , 255 КБ
Datasheet , pdf , 253 КБ

SI2374DS-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 4,7А, 1,1Вт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 66 руб.

Техническая документация