MJD117T4, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252

Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 2 А, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 12000

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2101285

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.568

Package / Case

TO-252

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Length

6.6 mm

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Width

6.2 mm

Maximum DC Collector Current

2 A

Height

2.4 mm

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

6.6 x 6.2 x 2.4мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

2.4мм

Длина

6.6мм

Категория продукта

Транзисторы Дарлингтона

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

2 A

Максимальный ток отсечки коллектора

20 uA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

100 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

100 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

2500

Серия

MJD117

Тип продукта

Darlington Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

TO-252

Ширина

6.2мм

Series

MJD117

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

3 В

Количество элементов на ИС

Product Category

Darlington Transistors

Configuration

Single

Packaging

Cut Tape or Reel

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

Manufacturer

STMicroelectronics

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Maximum Collector Cut-off Current

20 uA

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

4 В

Производитель

STMicroelectronics

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальный непрерывный ток коллектора

4 А

Максимальный запирающий ток коллектора

0.02mA

Collector- Base Voltage VCBO

100 V

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

DC Collector/Base Gain Hfe Min

200

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Factory Pack Quantity

2500

Mounting Style

SMD/SMT

Product Type

Darlington Transistors

Subcategory

Transistors

Unit Weight

0.063493 oz

Техническая документация

Datasheet , pdf , 380 КБ
Datasheet MJD112T4 , pdf , 367 КБ
Datasheet MJD117T4 , pdf , 367 КБ

MJD117T4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация