CSD19506KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 375Вт, TO220-3, NexFET™, Texas Instruments - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 840 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments

Информация

Производитель

Texas Instruments

Артикул

CSD19506KCS

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2101255

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.98

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.7мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

NexFET

Торговая марка

Texas Instruments

Длина

10.67мм

Высота

16.51мм

Размеры

10.67 x 4.7 x 16.51мм

Id - непрерывный ток утечки

200 A

Pd - рассеивание мощности

375 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

297 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

CSD19506 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

Texas Instruments

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

273 A

Максимальное рассеяние мощности

375 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Максимальное сопротивление сток-исток

2,8 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

9380 пФ при 40 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.3 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

100A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

12200pF @ 40V

Power Dissipation (Max)

375W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.2V @ 250ВµA

Series

NexFETв„ў ->

Qg - заряд затвора

120 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

NexFET

Типичное время задержки выключения

30 нс

Типичное время задержки при включении

19 ns

Типичное время задержки включения

19 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

120 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

156nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.2V

Manufacturer Product Page

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp

Техническая документация

Datasheet CSD19506KCS , pdf , 381 КБ
Datasheet CSD19506KCS , pdf , 477 КБ

CSD19506KCS, Транзистор N-MOSFET, полевой, 80В, 150А, 375Вт, TO220-3, NexFET™ - характеристики, поставщики

Последняя цена 840 руб.

Техническая документация