BSS119NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 190мА, 500мВт, SOT23, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Малосигнальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSS119NH6327XTSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2101203

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-23

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.06

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9мм

Brand

Infineon

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

1.3 mm

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOT-23

Width

1.3мм

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Package Height

1(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Yes

Supplier Package

SOT-23

Standard Package Name

SOT-23

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

OptiMOS

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

2.9 mm

Высота

1мм

Id - непрерывный ток утечки

190 mA

Pd - рассеивание мощности

500 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

350 mS

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

BSS119 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Количество каналов

1 Channel

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.406 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

190mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20.9pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 190mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 13ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

190 мА

Maximum Power Dissipation

500 mW

Series

OptiMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Время нарастания

3.3 ns

Время спада

18.8 ns

Типичное время задержки выключения

7 ns

Типичное время задержки при включении

2.7 ns

Другие названия товара №

BSS119N H6327 SP000870644

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Transistor Mounting

Surface Mount

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

190мА

Пороговое Напряжение Vgs

1.9В

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

2.406Ом

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1 - Безлимитный

Product Category

Small Signal

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.19

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

6000@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

0.6@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

0.6

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

15.7@25V

Typical Fall Time (ns)

18.8

Typical Rise Time (ns)

3.3

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

2.7

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

2.3

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

Maximum IDSS (uA)

0.01

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 903 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1 , pdf , 656 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1 , pdf , 604 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1 , pdf , 597 КБ

BSS119NH6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 190мА, 500мВт, SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация