STB80NF10T4, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: D2PAK, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А

N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2101051

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.2

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.35мм

Высота

4.6мм

Количество элементов на ИС

Series

STripFETв„ў II ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

15 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

STB80 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

80A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

182nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 40A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

80 A

Pd - рассеивание мощности

300 W

Qg - заряд затвора

135 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

15 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

80 ns

Время спада

60 ns

Длина

10.4мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

STripFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

50 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STripFET II

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Типичное время задержки выключения

116 нс

Типичное время задержки при включении

26 ns

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

D2PAK-3

Тип

MOSFET

Техническая документация

Datasheet , pdf , 578 КБ
Datasheet STB80NF10T4 , pdf , 565 КБ

STB80NF10T4 - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация